300KW SIC-MOSFET সলিড স্টেট হাই ফ্রিকোয়েন্সি পাইপ ওয়েল্ডার

300KW SIC-MOSFET সলিড স্টেট হাই ফ্রিকোয়েন্সি পাইপ ওয়েল্ডারSiC mosfet গ্রহণ করে এবং এটি উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ প্রতিরোধের আছে. SiC mosfet প্রধানত পাওয়ার মডিউল বোর্ডগুলিতে ব্যবহৃত হয়। এই ধরনের পাওয়ার বোর্ডগুলি কঠিন অবস্থার উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পাইপ ওয়েল্ডারে ব্যবহৃত হয়।

প্রযুক্তিগত পরামিতি:

রেট আউটপুট শক্তি: 300kW

ঢালাই মোড: আনয়ন প্রকার

রেটেড ডিসি ভোল্টেজ: 240V

রেটেড ডিসি বর্তমান: 1500A

রেট ফ্রিকোয়েন্সি: 300KHZ

সম্পূর্ণ দক্ষতা: η≥85%

পাওয়ার সাপ্লাই ভোল্টেজ: 3-ফেজ 380V/50Hz (সরঞ্জাম 380V±5% ভোল্টেজে কাজ করতে পারে)

বিদ্যুৎ বিতরণ ক্ষমতা: ≥360kVA

কর্মক্ষমতা বৈশিষ্ট্য

উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ প্রতিরোধের: SiC এর পাওয়ার ডিভাইস তৈরি করতে সক্ষম করে300KW SIC-MOSFET সলিড স্টেট হাই ফ্রিকোয়েন্সি পাইপ ওয়েল্ডারএমনকি উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশেও নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করে। SiC-তে ইনসুলেশনের জন্য একটি ব্রেকডাউন ক্ষেত্র শক্তি রয়েছে যা Si-এর তুলনায় দশগুণ বেশি, যা Si-ভিত্তিক ডিভাইসের তুলনায় বর্ধিত ডোপিং ঘনত্ব এবং পাতলা ড্রিফ্ট লেয়ার ফিল্ম পুরুত্ব সমন্বিত উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার ডিভাইস তৈরি করতে দেয়।

ডিভাইসের ক্ষুদ্রকরণ এবং হালকা নকশা: সিলিকন কার্বাইড (SiC) ডিভাইস300KW SIC-MOSFET সলিড স্টেট হাই ফ্রিকোয়েন্সি পাইপ ওয়েল্ডারউচ্চতর তাপ পরিবাহিতা এবং শক্তি ঘনত্ব অফার করে, তাপ অপচয় সিস্টেমকে সরল করে এবং ডিভাইসের ক্ষুদ্রকরণ এবং লাইটওয়েট নির্মাণের সুবিধা দেয়।

উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন এবং কম শক্তির ক্ষতি: SiC ডিভাইসগুলি সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসের চেয়ে দশ গুণ বেশি ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করে, ফ্রিকোয়েন্সি বৃদ্ধির সাথে সাথে ক্ষতি ছাড়াই দক্ষতা বজায় রাখে, যার ফলে শক্তির ক্ষতি প্রায় 50% হ্রাস পায়। উপরন্তু, বর্ধিত অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি পেরিফেরাল উপাদান যেমন ইন্ডাক্টর এবং ট্রান্সফরমারের ভলিউম হ্রাস করে, যার ফলে সিস্টেমের ভলিউম এবং উপাদানের খরচ কমে যায়।

আমরা শুধু উৎপাদন করি না300KW SIC-MOSFET সলিড স্টেট হাই ফ্রিকোয়েন্সি পাইপ ওয়েল্ডার, কিন্তু উচ্চ-কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্য আবেশন তাপ চিকিত্সা সরঞ্জাম এবং কিছু সমাধান প্রদান করে। বিস্তারিত তথ্যের জন্য পরামর্শ স্বাগতম!