SiC-MOSFET

তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর সামগ্রী

প্রযুক্তির উন্নতির সাথে সাথে, সম্প্রতি কঠিন অবস্থার জন্য উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ওয়েল্ডার তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান গ্রহণ করে যার নাম SiC-MOSFET।

থার্ড জেনারেশন সেমিকন্ডাক্টর ম্যাটেরিয়ালস SiC-MOSFET পারফরম্যান্স বৈশিষ্ট্য

1. উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ প্রতিরোধ: SiC-এর Si এর চেয়ে প্রায় 3 গুণ বিস্তৃত ব্যান্ড ব্যবধান রয়েছে, তাই এটি এমন শক্তি ডিভাইসগুলি উপলব্ধি করতে পারে যা উচ্চ তাপমাত্রার পরিস্থিতিতেও স্থিরভাবে কাজ করতে পারে। SiC-এর ইনসুলেশন ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি Si-এর তুলনায় 10 গুণ বেশি, তাই Si ডিভাইসের তুলনায় উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার ডিভাইসগুলি উচ্চ ডোপিং ঘনত্ব এবং একটি পাতলা ফিল্ম পুরুত্বের ড্রিফ্ট স্তর দিয়ে তৈরি করা সম্ভব।

2. ডিভাইসের ক্ষুদ্রকরণ এবং লাইটওয়েট: সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসগুলির উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং শক্তি ঘনত্ব রয়েছে, যা তাপ অপচয় সিস্টেমকে সহজ করতে পারে, যাতে ডিভাইসের ক্ষুদ্রকরণ এবং লাইটওয়েট অর্জন করা যায়।

3. কম ক্ষতি এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি: সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসগুলির কাজের ফ্রিকোয়েন্সি সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসের 10 গুণে পৌঁছতে পারে এবং কাজের ফ্রিকোয়েন্সি বৃদ্ধির সাথে দক্ষতা হ্রাস পায় না, যা প্রায় 50% শক্তির ক্ষতি কমাতে পারে; একই সময়ে, ফ্রিকোয়েন্সি বৃদ্ধির কারণে, ইন্ডাকট্যান্স এবং ট্রান্সফরমারগুলির মতো পেরিফেরাল উপাদানগুলির আয়তন হ্রাস পায় এবং সিস্টেমের রচনার পরে আয়তন এবং অন্যান্য উপাদানগুলির ব্যয় হ্রাস পায়।

SiC-MOSFET